光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)、深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业 。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

　　光刻胶技术壁垒较高，全球市场较为集中，其中日本合成橡胶(JSR)、日本信越化学、东京应化(TOK)、美国杜邦等日美企业占据全球光刻胶市场的主导地位。日本光刻胶技术处于国际领先水平，特别是在高端EUV光刻胶市场，几乎处于垄断市场。目前我国低端光刻胶基本实现了国产替代，但高端光刻胶进口依赖度仍较高，尤其是EUV光刻胶。

　　随着中国本土半导体晶圆代工的产能增速迅猛，中国半导体光刻胶市场约为17.8亿元，已经增长至约27.4亿元，可实现31亿元市场规模。经过多年研发，中国厂商目前已经实现了除EUV光刻胶外的突破，代表公司有彤程新材、上海新阳、徐州博康、晶瑞股份等。此外，南大光电自主研发的ArF光刻胶通过了客户验证，在客户选择的50nm闪存产品中对控制栅进行了验证，结果显示为满足工艺要求，良率达标。

　　1826年，法国人涅普斯(J. N. Niepce)最先发现了具有感光性的天然沥青，使用低黏度优质沥青涂覆玻璃板，预干后，置于相机暗盒内，开启曝光窗，经光学镜头长时间曝光后，沥青涂层感光逐渐交联固化，形成潜像，再经溶剂松节油清洗定影，获得最早的沥青成像图案。

　　2018年5月30日，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺”专项(02专项)项目“极紫外光刻胶材料与实验室检测技术研究”，经过项目组全体成员的努力攻关，完成了EUV光刻胶关键材料的设计、制备和合成工艺研究、配方组成和光刻胶制备、实验室光刻胶性能的初步评价装备的研发，达到了任务书中规定的材料和装备的考核指标。 

　　2019年11月25日，8种“光刻胶及其关键原材料和配套试剂”入选工信部《重点新材料首批次应用示范指导目录》。

　　据杭州中经智盛市场研究有限公司发布的《2022-2026年光刻胶市场现状调查及发展前景分析报告》显示：光刻胶是半导体制造的核心材料，行业壁垒高：光刻胶是半导体制造工艺中光刻技术的核心材料，其品质直接决定集成电路的性能和良率，也是驱动摩尔定律得以实现的关键材料。光刻胶按照应用领域可以分为PCB、面板、半导体用光刻胶三大类，其中半导体光刻胶技术门槛最高，专利技术、原材料、设备验证、客户认证使得行业壁垒高筑。国内产业链下游企业逐渐意识到核心材料国产化的重要性，国内厂商也在积极研发中高端产品、加速客户和产品导入、扩建相关产能，在探索中砥砺前行，从而抓住国产化的契机。目前已有少数企业已开始崭露头角，实现从0到1的突破。

　　　光刻胶是集成电路领域微加工的关键性材料，为推动光刻胶等半导体材料行业的发展，近年来，我国政府发布了多项利好政策支持光刻胶产业发展，同时国内企业也积极研发中高端产品，主动寻求光刻胶及其核心材料国产化。现阶段，我国光刻胶企业有晶瑞电材、彤程新材、华懋科技、南大光电等，在国产替代大契机下，国内光刻胶企业将迎来发展良机。

　　　伴随全球半导体产业东移，加上我国持续增长的下游需求和政策支持力度。同时，国内晶圆厂进入投产高峰期，由于半导体光刻胶与下游晶圆厂具有伴生性特点，国内光刻胶厂商将直接受益于晶圆厂制造产能的大幅扩张。当前我国高端光刻胶与全球先进水平有近40年的差距，半导体国产化的大趋势下，国内企业有望逐步突破与国内集成电路制造工艺相匹配的光刻胶，所以必须要对光刻胶足够的重视，不断向日本和欧美等发达国家学习，努力开发出性能优异的国产光刻胶，使我国在未来的市场中占据一席之地。